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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀參數(shù)

來(lái)源:技術(shù)文章    更新時(shí)間:2014-10-30    瀏覽:1756次

 

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,為了提高測(cè)量精度,除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。

1.測(cè)試注意事項(xiàng)

a.本儀器應(yīng)水平安放;

b.如果你需要較地測(cè)量,請(qǐng)接通電源后,預(yù)熱30分鐘;

c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開(kāi)關(guān)時(shí),當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào);

d.被測(cè)件和測(cè)試電路接線(xiàn)柱間的接線(xiàn)應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線(xiàn)的電阻和分布參數(shù)所帶來(lái)的測(cè)量誤差;

e.被測(cè)件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;

f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線(xiàn)柱。

2.高頻線(xiàn)圈的Q值測(cè)量(基本測(cè)量法)

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:

按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。

 

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶(hù)可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

 

 

 

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線(xiàn)性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣,由測(cè)微圓筒線(xiàn)性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

 

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

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