電容電橋測試儀BQS本標(biāo)準(zhǔn)是以固定代號D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過的年號；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號；圓括號中數(shù)字為上一次重新確認(rèn)的年號。上標(biāo)符號（ε）表示對上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。

本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于國防部所有機構(gòu)。

電容電橋測試儀BQS范圍

本試驗方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

注1：在普遍的用法，“相對”一詞經(jīng)常是指下降值。

 這些試驗方法提供了各種電極，裝置和測量技術(shù)的通用信息。讀者如對某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測試材料的其它文件。

本標(biāo)準(zhǔn)并沒有*列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實際使用情況進(jìn)行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險說明見7.2.6.1和10.2.1。

本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會管轄，并由電學(xué)試驗D09.12附屬委員分會直接管理。

當(dāng)前版本核準(zhǔn)于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準(zhǔn)。前一版本于2004年批準(zhǔn)，即為 D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

技術(shù)指標(biāo)測量范圍及誤差

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時

測量項目 測量范圍 測量誤差

電容量Cx 40pF—20000pF ±0.5%  Cx±2pF

介損損耗tgδ 0-1 ±1.5%  tgδx±0.0001

在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時

測量項目 測量范圍 測量誤差

電容量Cx 4pF—2000pF ±0.5%  Cx±3pF

介損損耗tgδ 0-0.1 ±1.5%  tgδx±0.0001